Si bien en la actualidad los dispositivos de almacenamiento sólido (SSD) basados en memorias NAND son una clara alternativa respecto a los discos duros tradicionales, ya se encuentra en desarrollo una nueva tecnología que promete un aumento considerable de rendimiento, capacidad y fiabilidad.
Las memorias NAND en la actualidad son utilizadas en una amplia gama de dispositivos, desde los ya mencionados discos SSD pasando por teléfonos celulares, dispositivos móviles y cámaras digitales. Una de sus virtudes es su capacidad de mantener almacenados los datos incluso cuando no se encuentran conectadas a una fuente de energía, pero como contraparte no son muy rápidas debido a los sistemas de detección y corrección de errores (ECC) que poseen.
Pero dicha falencia podría quedar en el olvido gracias a las memorias ReRAM (Resistive Random Access Memory), las que prometen un incremento en el rendimiento que podría alcanzar unas 10.000 veces en comparación con las actuales soluciones.
El desarrollo de esta nueva tecnología estaría a cargo de las compañías Sharp y Elpida, aunque otras compañías fabricantes ya habrían mostrado su interés para participar del proyecto.
Según sus inventores la producción en masa de este tipo de memorias podría comenzar en el año 2013, aunque para que eso suceda deberá demostrar su superioridad respecto a otras tecnologías que también se encuentran en desarrollo.
Link: Next-Gen Chip Could Make Memory 10,000 Times Faster (IndustryWeek)
